Восстановление оксидного слоя NAND в SSD для восстановления производительности

Question

У меня есть твердотельный накопитель Kingston SSDNow V+ 64 ГБ, и я понимаю, как запись / стирание NAND изнашивает флэш-память.

Это происходит потому, что запись / стирание NAND повреждает оксидный слой, окружающий плавающий затвор, что со временем приводит к ловушке электронов, когда электроны попадают в ловушку в самом оксидном слое. Это приводит к медленному исчезновению разницы между 0 и 1 состояниями ячейки. Работа с этим замедляет производительность. Ссылка

Это можно "сбросить", подавая большее напряжение в противоположном направлении от ячеек, чтобы удалить электроны, которые блокируют ячейки.

Есть ли какой-нибудь программный метод, который я мог бы использовать, чтобы заставить SSD подавать напряжение на NAND?

Answer 1

Мой вопрос Есть ли программный взлом, который может включить указанную функцию?

Да, он называется TRIM и включен по умолчанию на большинстве SSD в большинстве современных операционных систем.

---

Поскольку вопрос был отредактирован, чтобы стать более действительным, а содержание изменилось незначительно, я предлагаю здесь обновленный ответ.

Невозможно "сбросить" ячейки, чтобы удалить электроны, захваченные в оксидном слое. Как только электроны "захвачены", они застревают в оксидном слое (обычно диоксид кремния), снижая его изолирующие свойства. После определенного порога каждую флэш-ячейку нельзя отличить от ее состояния 0 или 1, и тогда ячейка считается "плохой".

TRIM - это одна из техник, позволяющая уменьшить количество циклов чтения / записи, необходимых для поддержания файловой системы на диске, как и алгоритм выравнивания износа, присутствующий в микропрограмме контроллера диска. Большинство твердотельных накопителей также переполнены, поэтому на вашем 120-ГБ диске фактически есть несколько дополнительных гигабайт, которые заменяются при возникновении неисправной ячейки.

Answer 2

Твердотельные накопители достаточно автономны и не предоставляют никакого внешнего доступа к NAND. Таким образом, с помощью программного обеспечения невозможно применить произвольное напряжение к элементам.

Опять же, то, что вы предлагаете, - это то, что регулярно делают SSD в ходе нормальной работы. Вы стираете ячейку, прикладывая сильное напряжение к противоположной стороне, с которой вы прикладываете напряжение при записи в нее.

Из того, что я прочитал в литературе, лучший способ отловить электроны в оксидном слое - это покой и температура. Если вы просто оставите массив без чтения, запись или стирание электронов в оксидном слое (и в плавающем затворе) со временем будут вытекать. Тепло ускоряет этот процесс. Вот почему твердотельный накопитель, который не очень интенсивно используется, может прослужить гораздо дольше, чем предполагают рейтинги.