Скажем, мы смотрим на DRAM с типичными параметрами синхронизации (интересующие их перечислены ниже) с задержками чтения и записи ~ 20-50 наносекунд. Как можно изменить параметры синхронизации, чтобы увеличить задержки чтения и записи DRAM? В частности, скажем, что мы хотели, чтобы задержки чтения и записи составляли ~ 1 мкс. Параметры, с которыми я должен работать, следующие (если другие важны и не перечислены, пожалуйста, укажите их; любой из них, которые не важны или не имеют смысла, можно игнорировать):
* tCCD = CAS to CAS command delay (always = half of burst length)
* tRRD = Row active to row active delay
* tRCD = RAW to CAS delay
* tRAS = Row active time
* tRP = Row precharge time
* tRC = Row cycle time
* CL = CAS latency
* WL = Write latency
* tWTR = Write to read delay
Причина, по которой я спрашиваю, состоит в том, что я хочу провести небольшое моделирование, чтобы исследовать влияние различных задержек доступа к памяти на производительность программы для различных моделей доступа к памяти. Мои знания аппаратных средств памяти крайне ограничены; учитывая параметры выше, я думаю, что задержка памяти для одного доступа будет что-то вроде tRAS + CL для выбора строки / столбца, плюс WL? Я действительно извиняюсь, если это не общие параметры синхронизации. Заранее спасибо!
РЕДАКТИРОВАТЬ:
Если подумать, если у меня есть набор временных параметров p1, p2, ..., pN, с известной задержкой чтения / записи X, могу ли я получить новый набор параметров p1 ', p2', ..., pN 'для желаемой задержки чтения / записи Y> X, принимая p1' = (Y / X)p1, p2 '= (Y / X)p2, ..., pN' = (Y / X)pN? Похоже, я должен, так как, если задержки чтения / записи представляют собой некоторую линейную комбинацию базовых параметров синхронизации DRAM, я должен иметь возможность просто масштабировать параметры и получать эквивалентное масштабирование в производных количествах ... верно?