Не влияет на устройство. Ограниченное время записи Flash является естественным следствием их работы.
Данные на флэш-накопителях безопасны, потому что биты хранятся электронами, заблокированными в очень хорошо изолированном слое. Эти электроны, если они присутствуют, создают электрическое поле, которое может быть захвачено соседним транзистором. Поскольку они заблокированы, считывание транзистора не влияет на электроны. Однако во время записи для прохождения электронов через этот слой Flash требует очень высоких напряжений. Эти высокие напряжения вызывают некоторое повреждение слоя изоляции, который накапливается.
Для сравнения, DRAM не имеет такого слоя изоляции. Электроны движутся довольно легко. В результате, DRAM быстрее и не ломается от записи, но утечка электронов часто требует замены. Выключите питание, и все они исчезнут за миллисекунды.
Я не верю, что процесс чтения влияет на ячейки NAND, хотя я могу ошибаться (например, посмотрите в конец этой статьи). Может случиться так, что если "страница" или eraseblock не перепрограммируется в течение очень долгого времени, есть вероятность (вероятно, очень мала), что некоторые биты вернутся в незапрограммированное состояние. Не уверен, что прошивка учитывает это и перезаписывает / перераспределяет страницы, которые не были прочитаны долгое время.
Раздел надежности этой таблицы не упоминает об этом, поэтому я предполагаю, что чтение не влияет на диск.
Флэш-память - это просто EEPROM (чип, который можно перепрограммировать. Это перепрограммирование, которое вызывает износ, чтения неограниченны. Для чтения это просто память. http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_flash В этой статье немного рассказывается о том, как работает перепрограммирование и как оно в основном «сжигает» данные в памяти.
