Моя материнская плата Gigabyte GA-MA790XT-UD4P продается с MOSFET с более низким Lower RDS(on) MOSFET . Мне любопытно, что это на самом деле означает.
3
1 ответ
6
Rds (ds должен быть нижним индексом) означает «Сопротивление (сток-исток)», где сток - это то, куда идет ток, а источник - то, откуда он идет.
МОП-транзисторы, как правило, используются в качестве лучшей альтернативы силовым транзисторам и используются для коммутации с высоким током.
Наличие более низкого Rds в основном означает, что по MOSFET будет потеряно меньше энергии в соответствии с законом омов, и, говоря, что их MOSFET имеют низкое Rds, они в основном говорят, что их платы более энергоэффективны и, следовательно, будут производить чуть меньше тепла, побочный продукт MOSFET.
Rds(on) в основном просто говорит о том, что Rds низкое, когда MOSFET находится во включенном состоянии. В выключенном состоянии МОП-транзистор не будет проводить, поэтому вам не важно сопротивление.
Маленькая деталь ...
В простейшем использовании MOSFET (или полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника) используется в качестве прямой замены для силовых транзисторов и релейных переключателей. Символ для MOSFET несколько похож на транзистор, но имеет зазор, чтобы проиллюстрировать тот факт, что нет прямой связи между затвором и другими частями транзистора, следовательно, полевой транзистор.
Mosfet: 
транзистор: 
Из-за того, что затвор эффективно изолирован от пути тока (от источника к стоку) устройства, это делает его гораздо более полезным для более высоких токов, поскольку утечка через затвор значительно меньше, что повышает КПД устройства. значительно.
В Википедии:
Большое преимущество полевых МОП-транзисторов для цифрового переключения заключается в том, что оксидный слой между затвором и каналом предотвращает протекание постоянного тока через затвор, что дополнительно снижает энергопотребление и дает очень большой входной импеданс. Изолирующий оксид между затвором и каналом эффективно изолирует полевой МОП-транзистор на одной логической ступени от более ранней и поздней ступеней, что позволяет одному выходу полевого МОП-транзистора управлять значительным числом входов полевого МОП-транзистора. Биполярная транзисторная логика (например, TTL) не обладает такой высокой способностью разветвления.
Из-за конструкции MOSFET все еще существует сопротивление между истоком и стоком, даже когда оно полностью активировано (насыщено), и это сопротивление приводит к тому, что часть проходящего через устройство тока теряется и, таким образом, выделяет тепло. Уменьшение этого сопротивления уменьшает количество потерянной энергии, а также уменьшает количество тепла, выделяемого MOSFET.
По сравнению с транзистором МОП-транзистор является высокоэффективным, а МОП-транзистор с низким Rds повышает эту энергоэффективность.